日本电信电话（株）（NTT）开发出了分辨率极高的能够观察到化合物半导体的结晶表面的“成长过程”的电子显微镜——原子层成长观察显微镜。在世界上首次成功地利用此镜观察到了每一个原子层扩张形成薄膜的全过程。
该装置是在卧式电子显微镜中安装了一个比原来小1/2的小型化分子线成长装置后组成的，能够观察到正在成长的化合物半导体表面的一个原子层程度的消长变化，最高分辨率30 nm，每一画面可保持观察1/60秒。
该显微镜由于可以计时观察，既能对成长的各过程进行成长控制，又可以就K. As的原子数量级的成长机理的各种理论，用实际观察加以验证。
量子化设计中具有代表性的21世纪的半导体元件，在一个原子层的厚度上进行控制的极薄膜是不可缺少的环节，这一成果可望会大大促进新一代产品的开发。
[项俊杰译自《科学と技术》，1991. No. 1]